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        1. 東芝研發首款含TSV技術的NAND閃存

          2015-10-10 11:43 來源:電子信息網 作者:Bamboo

          東京—東芝公司(TOKYO:6502)今日宣布研發全球首款*1運用硅通孔(TSV)技術的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。

          NAND閃存
          NAND閃存

          堆疊式NAND閃存的先前技術是在封裝內運用引線接合法連接在一起。而TSV技術利用垂直電極和貫穿硅芯片模的通孔實現連接。該技術支持數據高速輸入和輸出,并降低功耗。

          東芝TSV技術實現超過1Gbps的I/O數據速率,高于具有低電源電壓的任何其它NAND閃存。核心電路1.8V,I/O電路1.2V,寫入操作、讀取操作和I/O數據傳輸的功耗降低約50%*2。

          這款全新的NAND閃存為包括高端企業級SSD在內的閃存應用提供理想的低延遲、高帶寬和高IOPS/Watt解決方案。

          這項應用技術部分由日本新能源和工業技術開發組織(NEDO)研發。

          該原型的一般規格

          QQ截圖04

          注:

          *1:截至2015年8月6日。東芝調查。

          *2:與東芝當前產品相比。

          東芝 TSV技術 NAND閃存

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