1. <strike id="if8ug"></strike>
    2. <acronym id="if8ug"></acronym>
        <var id="if8ug"></var>
          <acronym id="if8ug"><li id="if8ug"><nav id="if8ug"></nav></li></acronym>

        1. 三星發布其首款36GB HBM3E 12H DRAM,滿足人工智能時代的更高要求

          2024-02-28 09:43 來源:美通社 作者:電源網

          深圳2024年2月27日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。                                                          

          三星HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s,產品容量也達到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM3 8H,HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。

          “當前行業的人工智能服務供應商越來越需要更高容量的HBM,而我們的新產品HBM3E 12H正是為了滿足這種需求而設計的,” 三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁 Yongcheol Bae 表示,“這一新的存儲解決方案是我們研發多層堆疊HBM核心技術以及在人工智能時代為高容量HBM市場提供技術領導力而努力的一部分。

          三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
          三星首款36GB HBM3E 12H DRAM

          HBM3E 12H采用了先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,使得12層和8層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前HBM封裝的要求。因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題,這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜(NCF)材料的厚度,并實現芯片之間的間隙最小化至7微米(μm),同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其HBM3E 12H產品的垂直密度比其HBM3 8H產品提高了20%以上。

          三星先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊(bump)改善HBM的熱性能。在芯片鍵合(chip bonding)過程中,較小凸塊用于信號傳輸區域,而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助于提高產品的良率。

          隨著人工智能應用的指數級增長,HBM3E 12H有望成為未來系統的優選解決方案,滿足系統對更大存儲的需求。憑借超高性能和超大容量,HBM3E 12H將幫助客戶更加靈活地管理資源,同時降低數據中心的總體擁有成本(TCO)。相比HBM3 8H,HBM3E 12H搭載于人工智能應用后,預計人工智能訓練平均速度可提升34%,同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍[1]。

          目前,三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品,預計于今年下半年開始大規模量產。

          [1] 基于內部模擬結果

          關于三星電子

          三星以不斷創新的思想與技術激勵世界、塑造未來。重新定義電視、智能手機、可穿戴設備、平板電腦、數碼電器、網絡系統、存儲、系統集成電路、半導體代工制造及LED解決方案。通過SmartThings生態系統、以及與伙伴的開放合作,為消費提供無縫銜接的順滑體驗。

          欲了解更多最新消息,請訪問三星新聞中心:news.samsung.com.

          三星 36GB HBM3E 12H DRAM 人工智能

          一周熱門

          亚洲精品综合网在线8050影院|99久久久免费视频|欧美成在线精品|人妻少妇久久久久久97人妻
          1. <strike id="if8ug"></strike>
          2. <acronym id="if8ug"></acronym>
              <var id="if8ug"></var>
                <acronym id="if8ug"><li id="if8ug"><nav id="if8ug"></nav></li></acronym>